行业领先的基础半导体器件与解决方案供应商安世中国今日推出面向 1200V 的 ND3 半桥 IGBT 模块系列，进一步扩充其高压功率器件产品组合。作为安世中国首款 IGBT 功率模块，该系列采用公司最新的绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 沟槽栅先进场截止 (FS) 技术，提供 1200V 电压等级及 480A、600A、900A 三档电流，满足工业客户对高效高压功率转换与电机驱动日益增长的需求。
该产品系列为中速半桥模块，旗舰型号为NT900T12D3M7，针对 1–20 kHz 开关应用进行了优化，可在高达 175°C 的结温下持续运行，并具备极低的导通压降 VCE (sat)与开关损耗 (Eon/Eoff)，实现无振荡的平滑关断与开通，让大功率转换更加节能。模块在 150°C 下可承受 8 µs 短路，为关键任务留出充足安全裕量，配合面向恶劣工况的强化设计，保障长期可靠运行。优化的大电流承载与紧凑封装，帮助整机实现更高功率密度。该系列可广泛应用于通用变频器、工业伺服与电机驱动、光伏逆变器、有源电力滤波器 (APF)、不间断电源 (UPS)，以及公交客车、重卡等商用、农业与工程车辆 (CAV)，覆盖高达 300 kW 的大功率应用。
安世中国功率器件事业部总经理苑志辉表示：“传统工业电源市场，尤其是 300 kW 级电机，正持续向更高效率升级，并加速工业系统的电气化进程。随着安世中国的 IGBT 产品组合扩展到 1200V 模块，我们已做好准备，全力支持工业客户应对不断增长的市场需求，从低压到高压系统，为客户提供更丰富的开关性能选择。”
安世中国的 ND3 半桥 IGBT 模块采用行业标准的 62mm×122mm 封装，与 EconoDUAL3 平台引脚兼容，符合 IEC 质量标准，支持预涂导热界面材料 (TIM) 与压接引脚 (Press-fit)。针对油气、矿山等腐蚀环境，该系列还提供经 H₂S 防护强化的超高鲁棒版本。
产品组合
*EconoDual3 是英飞凌科技股份公司 (Infineon Technologies AG) 的注册商标。
ND3 系列六款型号现已全面量产。如需获取数据手册、申请样品与 PLECS 仿真模型，请点击文末「阅读原文」链接或联系您的销售代表。
Nexperia (安世半导体)
作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia（安世半导体）的器件被广泛应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。
Nexperia（安世半导体）为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这些产品在效率（如工艺、尺寸、功率及性能）方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia（安世半导体）拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充分体现了公司对于创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。
Nexperia：效率致胜。